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FDD8424H-F085A
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDD8424H-F085A
- 商品编号
- C3290989
- 商品封装
- TO-252-4
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):115pF,导通电阻(RDS(on)):70mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):24nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.3W,耗散功率(Pd):35W,输入电容(Ciss):1330pF,输入电容(Ciss):1330pF@20V,输出电容(Coss):185pF,连续漏极电流(Id):26A,连续漏极电流(Id):6.5A,配置:半桥,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 输入电容(Ciss) | 1330pF | |
| 输入电容(Ciss) | 1330pF@20V | |
| 输出电容(Coss) | 185pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 配置 | 半桥 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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