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HSU0903
扩展库- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 厂家型号
- HSU0903
- 商品编号
- C5341702
- 商品封装
- TO-252-4
- 商品毛重
- 0.00036千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):24pF@30V,反向传输电容(Crss):29pF@30V,导通电阻(RDS(on)):255mΩ@4.5V,1.6A,导通电阻(RDS(on)):220mΩ@10V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):66pF@30V,输入电容(Ciss):1229pF@30V,连续漏极电流(Id):6.2A,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 255mΩ@4.5V,1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V,2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 66pF@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 1229pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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