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STC6301D

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品牌名称
STANSON(司坦森)
厂家型号
STC6301D
商品编号
C2682885
商品封装
TO-252-4
商品毛重
0.000401千克(kg)
包装方式
编带

商品参数

反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.045Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):46mΩ@10V,5A,导通电阻(RDS(on)):0.06Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.028Ω@4.5V,导通电阻(RDS(on)):0.065Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):12.6nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):9.9nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):9.9nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):34.7W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):23A,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)-
导通电阻(RDS(on))0.045Ω@10V
导通电阻(RDS(on))46mΩ@10V,5A
导通电阻(RDS(on))0.06Ω@10V
导通电阻(RDS(on))0.028Ω@4.5V
导通电阻(RDS(on))0.065Ω@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道+1个P沟道
栅极电荷量(Qg)12.6nC@4.5V
栅极电荷量(Qg)9.9nC@4.5V
栅极电荷量(Qg)9.9nC@4.5V
漏源电压(Vdss)60V
类型N沟道+P沟道
耗散功率(Pd)34.7W
输入电容(Ciss)-
连续漏极电流(Id)23A
连续漏极电流(Id)18A
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA

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