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1个N沟道+1个P沟道耐压:30V 电流:16A

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品牌名称: MSKSEMI(美森科)
厂家型号: AOD607-MS
商品编号: C3647110
商品封装: TO-252-4
商品毛重: 0.00043千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):68mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):32.5W,输入电容(Ciss):620pF,连续漏极电流(Id):16A,配置:半桥,配置:全桥,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	-
导通电阻(RDS(on))	68mΩ@4.5V
工作温度	-55℃~+150℃
数量	1个N沟道+1个P沟道
栅极电荷量(Qg)	8nC@4.5V
漏源电压(Vdss)	30V
类型	N沟道+P沟道
耗散功率(Pd)	32.5W
输入电容(Ciss)	620pF
连续漏极电流(Id)	16A
配置	半桥
配置	全桥
阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA