反向传输电容(Crss):72pF,导通电阻(RDS(on)):21mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):7.5nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):32.9W,输入电容(Ciss):815pF,输出电容(Coss):98pF,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 72pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 32.9W | |
输入电容(Ciss) | 815pF | |
输出电容(Coss) | 98pF | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.462/个 |
10+ | ¥1.434/个 |
30+ | ¥1.415/个 |
100+ | ¥1.396/个 |
102+ | ¥1.396/个 |
104+ | ¥1.396/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.28432
2500 PCS/盘
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