导通电阻(RDS(on)):22mΩ@8V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):34nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):107W,连续漏极电流(Id):61A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@8V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 107W | |
连续漏极电流(Id) | 61A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |