反向传输电容(Crss):13pF@50V,导通电阻(RDS(on)):8.9mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):1.6W,耗散功率(Pd):100W,输入电容(Ciss):2085pF@50V,连续漏极电流(Id):14A,连续漏极电流(Id):86A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 13pF@50V | |
导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ@10V,20A | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 1.6W | |
耗散功率(Pd) | 100W | |
输入电容(Ciss) | 2085pF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 14A | |
连续漏极电流(Id) | 86A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.25/个 |
10+ | ¥6.12/个 |
30+ | ¥6.04/个 |
100+ | ¥5.96/个 |
102+ | ¥5.96/个 |
104+ | ¥5.96/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.4832
2500 PCS/盘
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