反向传输电容(Crss):58pF@30V,导通电阻(RDS(on)):70mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):14nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2.4W,输入电容(Ciss):2163pF@30V,连续漏极电流(Id):26A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 58pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2.4W | |
输入电容(Ciss) | 2163pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 26A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |