反向传输电容(Crss):20pF@50V,导通电阻(RDS(on)):30.3mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):28.6nC,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):93W,输入电容(Ciss):1986pF@50V,连续漏极电流(Id):59A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20pF@50V | |
导通电阻(RDS(on)) | 30.3mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 28.6nC | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 93W | |
输入电容(Ciss) | 1986pF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 59A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |