反向传输电容(Crss):240pF@15V,导通电阻(RDS(on)):3.8mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):43.7nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):136W,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):2370pF@15V,连续漏极电流(Id):145A,连续漏极电流(Id):145A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 240pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 43.7nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 136W | |
耗散功率(Pd) | 136W | |
输入电容(Ciss) | 2370pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 145A | |
连续漏极电流(Id) | 145A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |