反向传输电容(Crss):29pF@60V,导通电阻(RDS(on)):8.9mΩ@10V,30A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:-,栅极电荷量(Qg):44nC@10V,漏源电压(Vdss):120V,耗散功率(Pd):2.9W,输入电容(Ciss):3142pF@60V,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 29pF@60V | |
导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ@10V,30A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 120V | |
耗散功率(Pd) | 2.9W | |
输入电容(Ciss) | 3142pF@60V | |
连续漏极电流(Id) | 80A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |