温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
DMTH8008LPSQ-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMTH8008LPSQ-13
- 商品编号
- C5711789
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 商品毛重
- 0.000171千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):7.8mΩ@10V,14A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):41.2nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):1.6W,耗散功率(Pd):100W,输入电容(Ciss):2345pF@40V,连续漏极电流(Id):91A,阈值电压(Vgs(th)):-
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V,14A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 输入电容(Ciss) | 2345pF@40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 91A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
3.593 / PCS库存总量
0 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车