反向传输电容(Crss):24pF@25V,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@10V,5.1A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):8.8nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):584pF@25V,连续漏极电流(Id):5.7A,连续漏极电流(Id):24A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 24pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,5.1A | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
输入电容(Ciss) | 584pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
连续漏极电流(Id) | 24A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |