反向传输电容(Crss):24pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@20V,栅极电荷量(Qg):148nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):375W,输入电容(Ciss):3110pF,输出电容(Coss):185pF,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):4V@10mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 24pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@20V | |
栅极电荷量(Qg) | 148nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
耗散功率(Pd) | 375W | |
输入电容(Ciss) | 3110pF | |
输出电容(Coss) | 185pF | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@10mA |