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CMP120N12
扩展库- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 厂家型号
- CMP120N12
- 商品编号
- C20625157
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.002756千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):7mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):167nC@10V,漏源电压(Vdss):120V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):170W,输入电容(Ciss):7800pF@25V,输出电容(Coss):7800pF,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 167nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 输入电容(Ciss) | 7800pF@25V | |
| 输出电容(Coss) | 7800pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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