导通电阻(RDS(on)):0.0095Ω@7.5V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):125W,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.0095Ω@7.5V | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 125W | |
连续漏极电流(Id) | 100A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥11.52/个 |
10+ | ¥9.75/个 |
50+ | ¥8.64/个 |
100+ | ¥7.51/个 |
500+ | ¥6.99/个 |
1000+ | ¥6.77/个 |
整盘
单价
整盘单价¥7.9488
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