反向传输电容(Crss):40pF,导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):37nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):3050pF,输出电容(Coss):360pF,连续漏极电流(Id):90A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 输入电容(Ciss) | 3050pF | |
| 输出电容(Coss) | 360pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.226/个 |
| 50+ | ¥0.963/个 |
| 150+ | ¥0.85/个 |
| 500+ | ¥0.709/个 |
| 3000+ | ¥0.646/个 |
| 6000+ | ¥0.609/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.59432
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉155.04元