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HSBA8119
扩展库- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 厂家型号
- HSBA8119
- 商品编号
- C22359243
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 商品毛重
- 0.00024千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):50pF,导通电阻(RDS(on)):15mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):190nC,漏源电压(Vdss):80V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):145W,输入电容(Ciss):13300pF,输出电容(Coss):390pF,连续漏极电流(Id):70A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 145W | |
| 输入电容(Ciss) | 13300pF | |
| 输出电容(Coss) | 390pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.3/个 |
| 10+ | ¥5.09/个 |
| 30+ | ¥4.49/个 |
| 100+ | ¥3.89/个 |
| 500+ | ¥3.39/个 |
| 1000+ | ¥3.2/个 |
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