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HSBA4206
扩展库- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 厂家型号
- HSBA4206
- 商品编号
- C22359246
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 商品毛重
- 0.000217千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):138pF@15V,导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):18.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):21W,输入电容(Ciss):2332pF@15V,连续漏极电流(Id):35A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 138pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.8nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 输入电容(Ciss) | 2332pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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