反向传输电容(Crss):19pF,导通电阻(RDS(on)):33mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):125nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):454W,输入电容(Ciss):3090pF,输出电容(Coss):251pF,连续漏极电流(Id):99A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 454W | |
| 输入电容(Ciss) | 3090pF | |
| 输出电容(Coss) | 251pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |