反向传输电容(Crss):2.5pF,导通电阻(RDS(on)):208mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):580pF,输出电容(Coss):35pF,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@2mA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 208mΩ@18V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
耗散功率(Pd) | 136W | |
输入电容(Ciss) | 580pF | |
输出电容(Coss) | 35pF | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@2mA |