导通电阻(RDS(on)):34mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1400mW,输入电容(Ciss):1160pF,输出电容(Coss):180pF,连续漏极电流(Id):6.5A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1400mW | |
| 输入电容(Ciss) | 1160pF | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |