反向传输电容(Crss):105pF,反向传输电容(Crss):103pF,导通电阻(RDS(on)):15mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,栅极电荷量(Qg):15.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):900pF,输入电容(Ciss):800pF,输出电容(Coss):162pF,输出电容(Coss):131pF,连续漏极电流(Id):6.4A,阈值电压(Vgs(th)):1.25V,阈值电压(Vgs(th)):0.9V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 103pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 输出电容(Coss) | 162pF | |
| 输出电容(Coss) | 131pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.801/个 |
| 50+ | ¥0.633/个 |
| 150+ | ¥0.549/个 |
| 500+ | ¥0.486/个 |
| 2500+ | ¥0.403/个 |
| 4000+ | ¥0.378/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.371
4000 PCS/盘
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