导通电阻(RDS(on)):30mΩ@8V,4A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):2.7nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2.3W,输入电容(Ciss):340pF@15V,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@8V,4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.0229/个 |
| 50+ | ¥1.584/个 |
| 150+ | ¥1.396/个 |
| 500+ | ¥1.161/个 |
| 3000+ | ¥1.0561/个 |
| 6000+ | ¥0.993/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.97161
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉253.47元