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CSD19538Q2
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- CSD19538Q2
- 商品编号
- C2838636
- 商品封装
- WSON-6(2x2)
- 商品毛重
- 0.000023千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):16.4pF,导通电阻(RDS(on)):49mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):4.3nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):20.2W,输入电容(Ciss):454pF,输出电容(Coss):90pF,连续漏极电流(Id):14.4A,阈值电压(Vgs(th)):3.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 20.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 454pF | |
| 输出电容(Coss) | 90pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.44/个 |
| 10+ | ¥1.91/个 |
| 30+ | ¥1.68/个 |
| 100+ | ¥1.4/个 |
| 500+ | ¥1.27/个 |
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