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CSD25310Q2T
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- CSD25310Q2T
- 商品编号
- C2871649
- 商品封装
- WSON-6(2x2)
- 商品毛重
- 0.00034千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):23.9mΩ@4.5V,5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):4.7nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):2.9W,输入电容(Ciss):655pF@10V,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23.9mΩ@4.5V,5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.7nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 输入电容(Ciss) | 655pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.05/个 |
| 10+ | ¥4.85/个 |
| 30+ | ¥4.25/个 |
| 250+ | ¥3.614/个 |
| 500+ | ¥3.257/个 |
| 1000+ | ¥3.0789/个 |
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