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CSD19538Q2T
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- CSD19538Q2T
- 商品编号
- C2859729
- 商品封装
- WSON-6(2x2)
- 商品毛重
- 0.000042千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):59mΩ@10V,5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5.6nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):2.5W,耗散功率(Pd):20.2W,输入电容(Ciss):454pF@50V,连续漏极电流(Id):13.1A,阈值电压(Vgs(th)):3.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@10V,5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 耗散功率(Pd) | 20.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 454pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.63/个 |
| 10+ | ¥2.06/个 |
| 30+ | ¥1.81/个 |
| 250+ | ¥1.51/个 |
| 500+ | ¥1.37/个 |
| 1000+ | ¥1.29/个 |
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