温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
Q4459
扩展库- 品牌名称
- GL(光磊)
- 厂家型号
- Q4459
- 商品编号
- C2886406
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.000124千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):300pF,导通电阻(RDS(on)):35mΩ@10V,工作温度:-55℃~+155℃,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):1600pF,连续漏极电流(Id):9.1A,阈值电压(Vgs(th)):3V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 1600pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
数据手册PDF
暂无数据手册PDF
预订参考价
0.398 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车