反向传输电容(Crss):125pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):18.9nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):1758pF,输出电容(Coss):153pF,连续漏极电流(Id):5.2A,阈值电压(Vgs(th)):0.9V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 125pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@1.8V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 18.9nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.25W | |
输入电容(Ciss) | 1758pF | |
输出电容(Coss) | 153pF | |
连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V@250uA |