反向传输电容(Crss):36pF@3V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):200mW,输入电容(Ciss):92pF@3V,连续漏极电流(Id):200mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 36pF@3V | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 200mW | |
输入电容(Ciss) | 92pF@3V | |
连续漏极电流(Id) | 200mA |