反向传输电容(Crss):0.3pF@25V,导通电阻(RDS(on)):160Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.08nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):21.8pF@25V,连续漏极电流(Id):70mA,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 0.3pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 160Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.08nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.25W | |
输入电容(Ciss) | 21.8pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 70mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.651/个 |
50+ | ¥0.637/个 |
150+ | ¥0.628/个 |
500+ | ¥0.619/个 |
510+ | ¥0.619/个 |
520+ | ¥0.619/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.56948
3000 PCS/盘
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