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DMN1019USN-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMN1019USN-13
- 商品编号
- C507832
- 商品封装
- SC-59
- 商品毛重
- 0.000022千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):375pF@10V,导通电阻(RDS(on)):10mΩ@4.5V,9.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):50.6nC@8V,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):0.68W,输入电容(Ciss):2426pF@10V,连续漏极电流(Id):9.3A,阈值电压(Vgs(th)):0.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 375pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V,9.3A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50.6nC@8V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.68W | |
| 输入电容(Ciss) | 2426pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V |
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