反向传输电容(Crss):1pF@5V,导通电阻(RDS(on)):100Ω@4.0V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):50V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):300mW,输入电容(Ciss):17pF@5V,连续漏极电流(Id):100mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@1.0uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1pF@5V | |
导通电阻(RDS(on)) | 100Ω@4.0V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 300mW | |
输入电容(Ciss) | 17pF@5V | |
连续漏极电流(Id) | 100mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1.0uA |