反向传输电容(Crss):22pF,导通电阻(RDS(on)):2Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):200mW,输入电容(Ciss):85pF,输出电容(Coss):60pF,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 22pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 200mW | |
输入电容(Ciss) | 85pF | |
输出电容(Coss) | 60pF | |
连续漏极电流(Id) | 200mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@1mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.5/个 |
10+ | ¥1.95/个 |
30+ | ¥1.71/个 |
100+ | ¥1.42/个 |
500+ | ¥1.28/个 |
1000+ | ¥1.2/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.166
3000 PCS/盘
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