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2SK1581-T1B-A
扩展库- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 厂家型号
- 2SK1581-T1B-A
- 商品编号
- C6054295
- 商品封装
- SC-59
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):5Ω@4V,1mA,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):16V,耗散功率(Pd):200mW,输入电容(Ciss):27pF@3V,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):1.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@4V,1mA | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 16V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 输入电容(Ciss) | 27pF@3V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
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