反向传输电容(Crss):125pF,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@2.5V,5.2A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@4V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):800pF,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 125pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V,5.2A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 11nC@4V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 800pF | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |