导通电阻(RDS(on)):15.3mΩ@10V,工作温度:-,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):51nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):2870pF,连续漏极电流(Id):8.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.3mΩ@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 2870pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥26.39/个 |
| 10+ | ¥22.76/个 |
| 30+ | ¥20.61/个 |
| 100+ | ¥18.43/个 |
| 500+ | ¥17.42/个 |
| 1000+ | ¥16.97/个 |
整盘
单价
整盘单价¥15.6124
2500 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉3394元