导通电阻(RDS(on)):51mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):90mΩ@10V,3.5A,工作温度:-,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):5.5nC@5V,栅极电荷量(Qg):3.9nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):490pF,输入电容(Ciss):230pF,连续漏极电流(Id):5A,连续漏极电流(Id):3.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V,3.5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 输入电容(Ciss) | 230pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.87/个 |
| 10+ | ¥4.75/个 |
| 30+ | ¥4.67/个 |
| 100+ | ¥4.59/个 |
| 102+ | ¥4.59/个 |
| 104+ | ¥4.59/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.536
2500 PCS/盘
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