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RM1A4N150S6
扩展库- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 厂家型号
- RM1A4N150S6
- 商品编号
- C3290074
- 商品封装
- SOT-23-6
- 商品毛重
- 0.000044千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):52pF,导通电阻(RDS(on)):480mΩ@10V,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.56W,输入电容(Ciss):700pF,输出电容(Coss):68pF,连续漏极电流(Id):1.4A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 输出电容(Coss) | 68pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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