反向传输电容(Crss):150pF,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@6A,4.5V,导通电阻(RDS(on)):22mΩ@2.5V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.14W,输入电容(Ciss):1035pF,输出电容(Coss):320pF,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 150pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@6A,4.5V | |
导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@2.5V | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.14W | |
输入电容(Ciss) | 1035pF | |
输出电容(Coss) | 320pF | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |