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MTB090N06N3
扩展库- 品牌名称
- CYSTECH(全宇昕)
- 厂家型号
- MTB090N06N3
- 商品编号
- C373431
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000045千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):20pF@30V,导通电阻(RDS(on)):115mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):9.4nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):356pF@30V,连续漏极电流(Id):3.9A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 356pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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