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MTC1016S6R
扩展库- 品牌名称
- CYSTECH(全宇昕)
- 厂家型号
- MTC1016S6R
- 商品编号
- C373442
- 商品封装
- SOT-363
- 商品毛重
- 0.000031千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):7.8pF,反向传输电容(Crss):11.9pF@16V,导通电阻(RDS(on)):0.4Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):0.79nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):1.13nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):0.3W,输入电容(Ciss):58.5pF,输入电容(Ciss):54.7pF@16V,输出电容(Coss):12.3pF,连续漏极电流(Id):0.82A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.9pF@16V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.4Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.79nC@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.13nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 58.5pF | |
| 输入电容(Ciss) | 54.7pF@16V | |
| 输出电容(Coss) | 12.3pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.82A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
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