反向传输电容(Crss):158pF,导通电阻(RDS(on)):32mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):17.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):1345pF,输出电容(Coss):194pF,连续漏极电流(Id):27A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 输入电容(Ciss) | 1345pF | |
| 输出电容(Coss) | 194pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.98/个 |
| 50+ | ¥0.96/个 |
| 150+ | ¥0.94/个 |
| 500+ | ¥0.92/个 |
| 2500+ | ¥0.91/个 |
| 5000+ | ¥0.9/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.8372
2500 PCS/盘
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