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PDN2313S
扩展库- 品牌名称
- Potens(博盛半导体)
- 厂家型号
- PDN2313S
- 商品编号
- C388393
- 商品封装
- SOT-23-3S
- 商品毛重
- 0.000032千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):30pF,导通电阻(RDS(on)):65mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):9nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.56W,输入电容(Ciss):745pF,输出电容(Coss):80pF,连续漏极电流(Id):4.1A,阈值电压(Vgs(th)):0.8V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 输入电容(Ciss) | 745pF | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V@250uA |
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