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PMEN2P7002S
扩展库- 品牌名称
- Potens(博盛半导体)
- 厂家型号
- PMEN2P7002S
- 商品编号
- C403712
- 商品封装
- SOT-23-3S
- 商品毛重
- 0.000034千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):8pF,导通电阻(RDS(on)):4Ω@10V,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):41pF,输出电容(Coss):13pF,连续漏极电流(Id):0.3A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 41pF | |
| 输出电容(Coss) | 13pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
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