导通电阻(RDS(on)):14mΩ@4.5V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):56nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.9W,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):2V@0.5mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.9W | |
连续漏极电流(Id) | 11A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@0.5mA |