导通电阻(RDS(on)):14mΩ@4.5V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):56nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.9W,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):2V@0.5mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@0.5mA |