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DOD629C
扩展库- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 厂家型号
- DOD629C
- 商品编号
- C42412127
- 商品封装
- TO-252-4
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):131pF,反向传输电容(Crss):135pF,导通电阻(RDS(on)):10mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):14mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):25.2nC@10V,栅极电荷量(Qg):20.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):40W,耗散功率(Pd):45W,输入电容(Ciss):1396pF,输入电容(Ciss):1430pF,输出电容(Coss):210pF,输出电容(Coss):150pF,连续漏极电流(Id):28A,连续漏极电流(Id):35A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1.6V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.2nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.4nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 输入电容(Ciss) | 1396pF | |
| 输入电容(Ciss) | 1430pF | |
| 输出电容(Coss) | 210pF | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.983/个 |
| 50+ | ¥0.772/个 |
| 150+ | ¥0.682/个 |
| 500+ | ¥0.569/个 |
| 2500+ | ¥0.518/个 |
| 5000+ | ¥0.488/个 |
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单价
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