反向传输电容(Crss):2.1pF@10V,导通电阻(RDS(on)):4Ω@4V,100mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):50V,耗散功率(Pd):250mW,输入电容(Ciss):25pF@10V,连续漏极电流(Id):160mA,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2.1pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4V,100mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
耗散功率(Pd) | 250mW | |
输入电容(Ciss) | 25pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 160mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |