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ZXMN3A04DN8TA
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- ZXMN3A04DN8TA
- 商品编号
- C445021
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000113千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):218pF@15V,导通电阻(RDS(on)):0.02Ω@10V,12.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):36.8nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):1890pF@15V,连续漏极电流(Id):8.5A,配置:共源,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 218pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.02Ω@10V,12.6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 1890pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 配置 | 共源 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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