反向传输电容(Crss):11pF@10V,导通电阻(RDS(on)):325mΩ@10V,1.5A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):2nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):0.8W,输入电容(Ciss):88pF@10V,连续漏极电流(Id):1.8A,连续漏极电流(Id):1.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 325mΩ@10V,1.5A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 88pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |